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Adv. Mater.| 激光定义反应拓扑实现可控固相转变用于可规模化钙钛矿光伏

作者:    信息来源:    发布时间: 2026-09-04


     李桂香&周伟家&王爱丽&丁建宁AM:激光定义反应拓扑实现可控固相转变用于可规模化钙钛矿光伏

研究亮点:

首次提出光子图案化反应拓扑策略——通过激光在PbI₂前驱层中构建有序微纳通道,作为确定性扩散路径,将两步法中受扩散限制的固相转变转化为空间协调的反应过程,从根本上解决了传统化学添加剂策略的随机性、残留杂质和形貌可控性差等固有限制。

激光结构化改变PbI₂局域电子环境并降低相变能垒:XPS显示激光处理后Pb 4f向低结合能偏移(143.67→143.32 eV),I 3d向高结合能偏移(630.36→630.73 eV),KPFM证实表面电势分布改变;DFT计算显示FAI在激光修饰PbI₂表面的吸附能从−1.90 eV降至−2.37 eV(更负、热力学更有利),TOF-SIMS证实FAI从表面富集转变为体相均匀分布,证实激光定义通道增强了质量传输。

显著抑制缺陷、提升结晶质量:原位光学显微镜显示激光区域成核更快更均匀;XRD显示PbI₂(001)峰降低、钙钛矿(110)峰增强,GISAXS确认残余PbI₂减少;TRPL载流子寿命从469.85 ns延长至602.93 ns(~28%提升),瞬态吸收GSB信号更强,PL mapping更均匀——证实体相和界面缺陷被有效抑制。

26.05%小面积效率(0.072 cm2)与22.83%组件效率(22.95 cm2)——为两步法制备同面积组件的报道纪录;AM0光照(空间太阳光谱,1,366 W/m2)下效率24.24%(PSCs在AM0下的最高报道效率之一),表明其空间应用潜力;封装器件在ISOS-L-1下1500小时MPP跟踪后保留>90%初始效率(对照仅60%),非辐射电压损失从204 mV降至195 mV。

一、本研究针对的问题与挑战

两步顺序沉积法因其高重复性和大面积制造潜力而被广泛采用。然而,该过程本质上受固相反应限制——第一步形成的致密PbI₂前驱层阻碍离子扩散,导致相变不完全、残留PbI₂和多尺度缺陷。这些不均匀性作为非辐射复合中心,在运行条件下促进离子迁移和相不稳定性,限制器件性能和长期稳定性。现有策略主要通过化学方法(添加剂工程、界面修饰、溶剂调控)来增强PbI₂反应活性、促进离子扩散,但这些方法本质上仍是随机的,常引入残留杂质,形貌可控性有限,尤其是在大面积器件中,空间不均匀性和工艺变异性仍未解决。

二、成果简介

本文提出光子结构化策略——通过激光在PbI₂前驱层中构建有序微纳通道,定义确定性扩散路径。这些通道引导离子传输并调控局域反应动力学,将扩散限制的固相转变转化为空间协调的过程。激光处理改变PbI₂局域电子环境(XPS、KPFM证实),降低FAI吸附能垒(DFT:−1.90→−2.37 eV),实现加速和均匀的相变。小面积器件效率26.05%,22.95 cm2组件效率22.83%(两步法同面积纪录),AM0下24.24%(PSCs在AM0下的最高报道之一),1500小时MPP跟踪保留>90%初始效率。

二、结果与讨论

(1)激光图案化PbI₂反应通道的构建与优化、激光结构化调控反应路径与结晶动力学

激光参数调控(图1a-c, S1-S2):通过调节激光重复频率(2、4、6 kHz,记为A1-A3)和功率(0.6、1.2、1.8 W,记为W1-W3),在PbI₂薄膜(~670 nm)中构建各种图案化形貌(图1b-c,S1)。通道深度/厚度比在W2条件(1.2 W)下约15%(S2)。频率对成核均匀性影响最大:4 kHz处理呈现最均匀的成核分布(S3);功率影响较小(0.6–1.2 W),但位置选择性保持稳定(S4)。优化参数:4 kHz + 1.2 W。原位光学显微镜成核加速(图1d, Video S1):激光结构化区域与未处理区域相比,成核速率更快、成核位点分布更均匀(图1d)。XRD揭示加速相变(图1e-g, S5):激光结构化PbI₂薄膜与有机盐反应更高效地形成α相钙钛矿,无需额外退火(图1e)。随反应时间延长,α相衍射峰强度逐渐增加(图1f-g),而未处理PbI₂薄膜相同时长后仍保留大量未反应PbI₂。归因于激光图案化引入有序扩散通道,有效降低有机盐扩散能垒,实现更快、更均匀的渗透。变温XRD(S5)显示激光图案化薄膜甚至在60°C低温退火下即可实现近乎完全相变,而对照薄膜需更高温度克服扩散限制。

(2)电子结构重分布调控反应热力学

XPS证实激光改变PbI₂局域化学环境(图2a):激光图案化后,Pb 4f轨道向低结合能偏移(143.67→143.32 eV,138.82→138.39 eV),I 3d轨道向高结合能偏移(630.36→630.73 eV,619.02→619.22 eV)(图2a)——激光处理改变PbI₂中Pb和I的局域化学环境。KPFM(S6-S7)显示激光处理区域CPD发生明显偏移,证实表面电子态改变。GISAXS(S8)表明结构重排主要发生在表面/近表面区域,无Pb⁰信号(排除显著分解)。

DFT计算揭示增强吸附(图2c):基于XPS结果构建表面模型(图2c),DFT计算显示FAI在激光结构化PbI₂表面的吸附能−2.37 eV,比对照(−1.90 eV)更负——表明FAI与激光修饰表面热力学更强相互作用,促进初始吸附步骤,与实验观测的加速相变一致。

TOF-SIMS证实均匀体相分布(图2d-g, S9):目标薄膜表面FAI信号更低(图2d),FA⁺信号也更低但不代表表面FA缺乏——深度剖析(S9)显示目标薄膜体相FA⁺强度更均匀,对照薄膜存在表面富集梯度。空间分布(图2f-g)进一步证实FAI在激光结构化PbI₂上更有效地参与反应,相变后(图2b)Pb 4f和I 3d结合能趋同——激光诱导的化学环境差异在形成[PbI₆]⁴⁻八面体框架后被消除。

(3)缺陷抑制的相形成与载流子动力学增强

结晶质量提升(图3a-f, S10):XRD(图3a)显示激光结构化PbI₂衍生的钙钛矿薄膜结晶度增强、PbI₂残留减少——归因于加速反应位点和反应活性促进更完全转化。GISAXS(图3b)确认激光结构化促进(110)面形成、减少残余PbI₂。SEM(图3c)显示更少表面PbI₂残留;AFM(图3d)粗糙度从42.0 nm降至39.7 nm;截面SEM(图3e-f)显示对照薄膜中存在未反应的PbI₂。

载流子动力学增强(图4a-f, S10):UV-vis和Tauc图(图4a, S10)显示带隙无显著变化。PL强度(图4b)显著增强;TRPL(图4c, Table S1)载流子寿命从469.85 ns延长至602.93 ns(~28%提升)。TA(图4d-e)显示目标薄膜在790 nm处GSB信号更强(更高载流子生成效率);PL mapping(图4f)显示更均匀的发光强度。

(4)可规模化器件与组件性能

小面积器件优化(图5a-c, S11-S14, Tables S2, S5):效率主要受激光频率影响(与成核均匀性趋势一致,图5a, S11)。冠军器件(0.072 cm2)PCE26.05%(V_OC=1.18 V,J_SC=25.98 mA cm⁻2,FF=84.84%)(图5b, Table S2)。EQE积分J_SC与J-V吻合(图5c)。AM0光照(1,366 W/m2,空间太阳光谱)下目标器件PCE24.24%——PSCs在AM0下的最高报道效率之一(图5d)。迟滞指数从0.035降至0.024(S13, Table S5),稳态输出~25.30%(S14)。

大面积组件(图5e-f, S12, Tables S3-S4):6×6 cm⟡衬底上22.95 cm2组件效率22.83%,对照21.30%(图5e),为两步法制备同面积组件的报道纪录(图5f, Table S4)。统计分布(S12)显示目标器件PCE平均值25.78±0.15%(小面积)和22.28±0.52%(组件),显著优于对照。

稳定性与V_OC损失分析(图5g-i, S15-S20):ISOS-L-1(25°C, 30-40% RH,图5g)下封装目标器件1500小时MPP跟踪后保留>90%初始效率(对照仅60%)。理想因子从1.14降至1.06(S15),暗J-V(S16)显示更低反向饱和电流,EIS(S17)显示更高复合电阻,Mott-Schottky(S18)显示V_bi从0.91增至1.06 V,TPV/TPC(S19)显示更长载流子寿命和更快电荷提取。EL(图5h)显示目标器件显著更高EL强度和更窄线宽。V_OC损失分解(图5i)显示辐射损失(ΔV₂)从30降至24 mV,非辐射损失(ΔV₃)从204降至195 mV。

四、小结

本文通过光子图案化反应拓扑策略,在PbI₂前驱层中构建有序微纳通道,将两步法沉积中固有的扩散限制固相转变转化为空间协调反应过程。激光结构化在PbI₂中引入确定性扩散路径(通道深度/厚度比~15%,4 kHz+1.2 W优化),改变局域电子环境(XPS:Pb 4f下移、I 3d上移;KPFM:CPD偏移),将FAI吸附能从−1.90 eV降至−2.37 eV(DFT),加速有机盐渗透和相变(原位光学显微镜证实成核更快更均匀,XRD显示低温60°C即可近乎完全相变)。TOF-SIMS证实FAI从表面富集转变为体相均匀分布。该策略使PbI₂残留显著减少(XRD/GISAXS/SEM),TRPL寿命从469.85 ns延长至602.93 ns,TA和PL mapping证实载流子动力学增强。小面积器件效率26.05%,AM0下24.24%(PSCs在AM0下的最高报道之一),22.95 cm⟡组件效率22.83%(两步法同面积纪录),ISOS-L-1下1500小时MPP跟踪保留>90%初始效率。该工作确立了光子控制固相反应路径作为一种可规模化、无添加剂的通用策略,适用于高性能钙钛矿光伏和更广泛的溶液处理半导体体系。

[文章链接]

Du, K., Zhang, H., Wang, A. et al. Laser-defined reaction topology enables controllable solid-state transformations for scalable perovskite photovoltaics. Adv. Mater. (2026).https://doi.org/10.1002/adma.202674828


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