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第三代半导体材料发展概述

作者: 前沿科学交叉研究院办公室   信息来源:    发布时间: 2017-12-29

12月29日,中国科学院半导体研究所研究员,中国科学院大学教授陈弘达应邀来我院进行学术交流并做了相关报告。陈弘达教授长期从事光电子与微电子学方面的科研和教学工作,目前研究方向为纳米光电器件、光电子与微电子集成。研制了CMOS硅光发射器件及阵列,硅基纳米材料光调制器与探测器,二维材料倍频器、光电混频器、双光混频器等新型纳米光电器件。研制的纳米材料光电混频器实现了光信号和电信号直接混频,研制的纳米材料光电探测器在光电信号探测的同时实现了不相干光信号直接混频。开展了与标准CMOS工艺兼容的硅基发光器件及其光电子集成电路研究,实现了CMOS光电集成回路。编著两本专著《微电子与光电子集成技术》、《甚短距离光传输技术》,参与编著《半导体科学与技术》、《Telehealthcare Computing and Engineering: Principles and Design》。在国内外重要期刊及国际学术会议发表论文100余篇,申请发明专利30余项。其间陈弘达教授就微波射频器件等热点问题与我院师生进行了交流讨论。

 

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