日前，中国发明协会公布2023年度“发明创业奖创新奖”获奖名单，济南大学前沿交叉科学研究院刘宏教授团队的科研成果“低维半导体材料生长的精确调控及电子元器件制造的关键技术”获中国发明协会发明创业奖创新奖一等奖。据中国发明协会介绍，发明创业奖是在国家科技奖励办公室正式注册的全国性社会力量办奖，于2005年由科技部批准，是首个为发明家设立的国家最高奖项。

  该项目以攻克我国在新材料、元器件、集成电路等为代表的战略性新兴产业面临的“卡脖子”技术问题为目标，以国家“十四五”规划强调的深入实施制造强国战略为导向，开展“大晶畴低维材料生长调控技术”的攻关研究，并取得突破性进展。

  “后摩尔时代，硅基集成电路尺寸缩微问题限制了更高的集成度，低维半导体材料多层堆叠可实现器件异质异构集成，能突破尺寸缩微限制，用于制造集成电路芯片和应用于医养健康传感，助力新一代信息产业升级。”刘宏教授介绍到。

  “目前我们所面临的问题是现有的制备技术仅制备单个晶畴的低维半导体，不能与高密度晶体管阵列兼容，且存在生长机制复杂、结晶质量不高等难点，不能满足元器件大规模制造需求，大晶畴全覆盖薄膜的可控制备被认为是低维半导体材料的技术难点。”刘宏教授如是说。

  “我们团队从问题源头出发，搞清基本原理、基本方法，从基础研究上下功夫，总结新规律。发挥团队优秀人才作用，激发创新活力。从国家急迫需要和长远需求出发，集中优势资源攻关关键元器件零部件和基础材料等领域关键核心技术，发展壮大战略新兴产业，加快关键核心技术创新应用。”刘宏教授讲到。

  获奖项目简介：

  该项目获得授权中国发明专利12项，发表学术论文56篇，确立了我国在低维半导体的可控制备及其在信息器件应用领域的国际领跑或并跑地位。该项目通过原始创新和集成创新，从理论、技术和应用三方面实现了低维半导体材料的可控制备与信息器件应用关键技术的突破。发明了点籽晶形核与同质结外延低维材料的生长方法，改善了材料结晶质量。实现了晶圆级高均匀性低维材料的可控制备。技术成果应用于多所高校研究院等，该项目创造了显著的经济和社会效益。